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赛科



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半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。自1947年12月23日正式发明后，在家电、通信、网络、、、国防等领域广泛应用，给电子工业带来性的影响。2010年，全球半导体市场达到2983亿美元，拉动上万亿美元的电子产品市场。伴随着半导体市场的，半导体材料也不断突破。国介绍，一般将锗和硅称为代半导体材料。将镓、磷化铟等称为第二代半导体材料，而将宽禁带的碳化硅、氮化镓和金刚石等称为第三代半导体材料。代材料中，12英寸单晶硅已经大规模生产，18英寸单晶硅已在实验室研制成功，全球每年集成电路中的硅用量大约2万吨。多晶硅方面，由于国内产品纯度不够，我国集成电路所用硅片基本靠进口。2011年，我国多晶硅产量为5万吨。硅基微电子技术方面，上8英寸已经广泛用于大规模集成电路，我国现有5~12英寸集成电路线约38条。在工艺水平上，上12英寸45纳米工艺也投入工业生产，预计2016年出16纳米工艺。但我国还停留在0.18微米、90纳米、65纳米水平上，只有少数企业拥有45纳米工艺。“到2015年，我国将拥有多条45~90纳米的8英寸、12英寸生产线。2022年进入前列。”国表示。不过随着集成度，硅晶片会遇到很多困难，例如芯片功耗急剧，极有可能将硅片融掉。上预计，2022年将达到“极限”尺寸——10纳米。因此，硅基微电子技术终将无法人类对信息量不断增长的需求。人们目前开始把希望发展新型半导体材料和新技术上。国介绍，以镓（GaAs）、磷化铟（InP）等为代表的第二代半导体材料不断向硅提出挑战。它可以器件和电路的速度，以及解决由于集成度的带来的功耗而出现的问题。GaAs、InP等材料被广泛应用于通讯、通讯、光通信、GPS导航等领域。直径为2、4、6英寸的GaAs已经商业化应用，8英寸的也已经在实验室研制成功。国说，氮化镓、碳化硅、氧化锌等为代表的第三代半导体材料也发展很快，这些材料都是宽带隙半导体材料。它具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度快、介电常数小等特征，能够在很多领域广泛应用。例如在半导体白光照明方面，国预计，到2015年，我国将出150lm/W的半导体照明灯，电压只需要3~4伏，非常安全和节能。国认为，半导体材料发展的趋势是由三维体材料向低维材料方向发展。目前，基于GaAs和InP基的低维材料已经发展得很成熟，广泛地应用于光通信、通讯、微波通讯的领域。实际上，这些低维半导体材料亦即纳米材料。国表示，半导体纳米科学技术的应用，将从原子、分子、纳米尺度水平上，控制和制造功能强大、性能优越的人工微结构材料和基于它们的器件和电器、电路，极有可能触发新的技术，使人类进入变幻莫测的量子。

 

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