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据报导，三星电子(SamsungElectronics)和海力士半导体(Hynix)2012年底将会投入次世代记忆体DDR4量产，全球记忆体市场。三星、海力士等近来在美国旧金山固态电路会议(ISSCC)上展示了30奈米等级DDR4的试制品。两大韩厂推出的试制品是以30奈米等级微细制程研发，2012年底则计划采用20奈米等级制程投入量产。DDR4DRAM较目前24C04BFJ-TB.html

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