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>H11AGX-5999意愿，因此2月下旬主流NANDFlash合约下跌5-10%。 影响NANDFlash有三大因素。就总体经济而言，在间的协商及合作的努力下，近期欧洲风暴势头，以及部份影响全球经济及金融市场的不因素正渐趋舒缓中，市场预期全球经济也将可望在2012下半年重回到复苏成长的道路，预期2012下半年NANDFlash在终端应用产品的旺季效应可望。就供给面而言，虽然主要供货商多采取暂缓2012上半年的晶圆扩充计划，这原本是用来因应总体经济呈现保守的策略，但随着主要NANDFlash供货商新的20nm级制程芯片良率，预期20nm级的产出比例在2012年第二季会逐渐。DRAMeXchange预期多数NANDFlash供货商会考虑产品应用的性能及可靠度，将在2012下半年陆续推出20nm级的eMMC、mSATA、SSD产品，而且是低成本高容量规格。就需求面而言，2012上半年多数的NANDFlash终端应用需求，仍将受到全球经济复苏及淡季效应的影响而呈现疲弱的，仅有某些热门新产品的上市效应，将会为NANDFlash市场带来些许春意，但2H12时会有更多厂商采用新世代的高性能微处理器/OS/无线通信技术/高分辨率影像功能的新组合，来陆续推出智能型手机、平板计算机与Ultrabook新机种，届时也将这些装置采用20nm级NANDFlash嵌入式产品的比例。 DRAMeXchange综合上述市场因素，预估1H12NANDFlash市场仍将处于淡季供过于求的状况，就短期而言，预期NANDFlash市场将主要受到1Q季底结账效应，热门产品上市预期心理及淡季效应等多空因素交互影响而呈现缓跌的。

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