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的IC设计公司及一站式服务供应商—灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）与中芯集成电路制造有限公司（“中芯”）及ARM联合宣布，采用中芯40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex™-A9 MPCore™双核芯片成功流片。 该芯片基于ARM Cortex-A9双核处理器设计，采用了中芯的40纳米低漏电工艺。处理器使用了一个集32K I-Cache和32K D-Cache，128 TLB entries，NEON™ 技术，以及包括调试和追踪技术的CoreSight™ 设计套件。除高速单元库，该芯片还采用高速定制存储器和单元库以性能。设计规则检测之签核流程（sign-off）结果已达到900MHz（WC），预计2012年第二季度流片结束后，实测结果将达到1.0GHz。 灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士指出：“ARM Cortex-A9双核芯片采用了中芯的40纳米低漏电工艺，大幅缩短了整个芯片设计时间，并且了成本与流片风险，这一系列工艺技术和设计上的措施将推动高性能的Cortex-A9处理器快速面市。我们很高兴在处理器内核及其实现上与ARM及中芯建立紧密的合作伙伴关系，该芯片的顺利流片再次证明了三家公司合作的成功。有了ARM和中芯的支持，我们必将为需要高性能ARM内核的客户带来巨大价值。” 中芯首席商务长季克非表示：“通过与ARM和灿芯的密切合作，中芯能够为客户提供一个快速实现从设计到生产的完整平台。我们十分与灿芯、ARM的合作伙伴关系。也正因为他们的努力，我们才能达成此40纳米技术的重要里程碑，这对我们‘为客的制程技术’的共同承诺是的证明。中芯40纳米技术结合ARM Cortex-A9处理器和灿芯的设计流程，将有助于高性能和低功耗消费电子产品日益增长的需求。” ARM区总裁吴雄昂说：“在，ARM坚持致力于与合作伙伴共同努力，创造一个推动创新与成长的生态。这个与灿芯半导体、中芯共同创造的重要里程碑，证明了通过我们的合作，可以承诺并终实现以高性能、低功耗的产品，来更快地市场不同领域的需求。”

 

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