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发布:2021-02-22 18:22,更新:2024-11-21 18:22

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"2012年1月31日,德国纽必堡讯 – 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出一种创新型封装技术,为纯电动和混合动力等要求苛刻的电子应用带来更大的电流承受能力和更率。新推出的TO封装符合JEDEC标准H-PSOF (散热型塑料小外形扁平引线)。首批推出的采用H-PSOF封装技术的产品是40V OptiMOS™ T2功率晶体管,它们的漏电流高达300A,导通电阻(RDS(on))低至0.76毫欧。


 性能更高的功率电子元器件, 可帮助系统设计人员达到更高的强制性的燃油效率标准,同时满足苛刻的总体排放要求。为达到这些标准,需要采用电流承受能力超过200A,导通电阻低于1毫欧的功率MOSFET,以降低传输损耗并提高总体效率。迄今为止,市场尚未推出满足这些需求的MOSFET。


 通过推出H-PSOF封装技术,英飞凌设立了一个新的里程碑,可提供漏电流高达300A,导通电阻低至0.76毫欧的40V功率MOSFET。此外,相比通常用于同类应用的标准D2PAK封装(TO-263)而言,H-PSOF封装的尺寸更小,高度更低。 H-PSOF封装的面积比目前的D2PAK小20%左右,高度几乎是D2PAK的一半。


 英飞凌科技股份公司电子事业部总裁Jochen Hanebeck表示:“通过开发创新型H-PSOF封装,加上其深厚的系统专业知识,英飞凌进一步增强了其在和电力电子领域的技术优势。这一面向大电流MOSFET的全新封装,能够让我们的系统供应商客户设计出能效和可靠性更高的电子产品,从而达到油耗和排放的需求。”


 H-PSOF封装可帮助电子制造商更好地服务于大电流应用市场。这些应用包括混合动力电动的电池管理、电动助力转向(EPS)、发电机,以及其它可提高燃油效率和降低排放的大负载应用。美国市场研究公司Strategy Analytics在更近发布的一份研究报告中指出,一个快速增长的应用领域是EPS和启停系统。预计到2016年,该市场的销量将从2011年的4700万套增至1.1亿套以上,年均复合增长率约为19%。


 开发H-PSOF封装的主要目标是降低封装电阻,并在具备较大电流承受能力的D2PAK 的基础之上,进一步提高封装的电流承受能力。


 H-PSOF封装还具备组装和制造上的优势。其特殊的设计可确保良好的可焊性,从而实现可靠的焊接。此外,组装和制造厂还能利用自动光学检测(AOI)设备控制焊接引线,而AOI是表面贴装工艺(SMT)生产线中常有的一部分。"

"2012 年 2 月 1 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超宽带宽直接转换 I/Q 解调器 LTC5585,该器件具卓越的线性性能 (在 1.95GHz 时,IIP3 = 25.7dBm,IIP2 = 60dBm)。LTC5585 能提供超过 530MHz 的基带输出解调带宽,可满足新一代宽带 LTE 多模式接收器和数字预失真 (DPD) 接收器的带宽需求。I/Q 解调器在 700MHz 至 3GHz 的宽频率范围内工作,几乎覆盖了所有蜂窝基站频段。这款器件的独特之处是两个内置的校准功能。其一是允许系统设计人员优化接收器 IIP2 性能的电路,从 60dBm 标称值提升至前所未有的 80dBm 或更高。另一个则是用于消除 I 和 Q 输出端上的 DC 偏移电压的片内电路。这两个功能电路均起到了增强接收器性能的作用。此外,LTC5585 还可提供超卓的 16dBm P1dB。 为了进一步加强该器件在直接转换接收器应用中的使用,LTC5585 提供非常低的 I/Q 幅度和相位失配。幅度失配的典型值是 0.05dB,而相位误差的典型值是 0.7 度,两个数值都是在 1.95GHz 频率上测得的。这两者的结合产生了一个 43dB 的接收器镜频抑制能力。


 因为 LTC5585 能提供非常宽的带宽,所以尤其适用于多模式 LTE、W-CDMA 和 TD-SCDMA 基站 DPD 接收器以及于主接收器的应用。尤其是对于 DPD,这些更新一代基站正在将解调带宽推进到超过 300MHz。LTC5585 可以非常方便地配置以应对这些带宽的挑战。除了无线基础设施应用,LTC5585 还适用于军用接收器、宽带通信、点对点微波数据链路、镜频抑制接收器和长距离 RFID 阅读器。


 LTC5585 内置了一个 RF 变压器以减少外部组件,再加上 24 引线 4mm x 4mm QFN 封装,因而可提供高度紧凑的解决方案。该器件规格在 -40°C 至 105°C 的外壳工作温度范围。


 LTC5585 用单一 5V 电源供电,吸取 200mA 的总电源电流。该器件提供数字输入以启用或停用该芯片。当停用时,该 IC 吸取的典型漏电流为 11uA。解调器的 200ns 快速接通时间和 800ns 断开时间使该器件能在突发模式接收器中使用


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