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面对韩国企业的高度竞争，amd等公司不得不出售自家的设备寻求进入市场，也给存储器产业生存造成了一定影响。目前中国本土的存储芯片设计商也已经进入竞争激烈状态，就比如intel、三星、sk海力士以及北京君正等先进代工厂商在国内拥有巨大的市场份额。并且未来还有越来越多高性能计算芯片厂商会涌入到存储芯片市场。

存储芯片在目前处于高度竞争的状态，生产存储芯片的厂商多样性分散性强，因此各个公司之间会进行类似于摩尔定律的竞争，导致供给一般化，存储芯片的价格会下降。事实上，slc和mlcd的耗能都比cvd和nand的要低，因此未来容量占比将会逐渐降低，价格会相对更加便宜。cvd将会是下一个趋势。

存储芯片主要分为三大块，以mlcd为主的工艺，将会逐渐实现大部分处理器工艺的商用化。intel会逐渐向高性能处理器进行转型，生产和供应高性能cpu等芯片终部分cpu将会由于集成度不够而削减，导致市场空间下降，开始实现普通处理器、笔记本等规模化。intel也将会在今年推出cpu后缀带m的处理器。

市场上还有韩国企业sk海力士和三星也在逐渐进入高性能、更小体积和较低功耗的存储芯片市场。而高端存储芯片之争将会进一步加剧，还有“新贵”将会出现，就是intel。有消息称，intel将推出过去smt（samsungmicroarchitecturetechnology,smt）工艺，性能提升30%，能耗降低15%，良率要求更低。2012年时国内还没有完全开始进入存储器市场，业内人士对此也很担心，担心供给不足，这是否会逼出其他高性能的存储芯片生产商。不过现在看来，国内集成电路行业发展的步伐一步步加快，产能普遍偏少的情况在下降，未来这种担心肯定是不利的。

预估未来几年国内应该先不会升级工艺。有的时候升级一代工艺其实是一种趋势，和另一个技术的升级一样。这种落后其实是好事，等明年基带技术成熟，下一代cpu应该就能用上了。当前3g是老的，4g应该也不是什么高新技术。半导体市场的紧密度对下一代存储器产生了很大的影响。大量手机处理器都是7nm，一次创新要是连续使用才能带来成本上的下降和利润增加。或者降低工艺对固态硬盘这种之前只有c7f0的方案也有冲击。顺带一提，未来的硬盘应该都会归到闪存里面。存储器大量的需求来自内存卡以及mini主板这一块。